Абразивные материалы в микроэлектронике

CMP: SiO₂ 20–50 нм в щелочной среде. Ra < 0,2 нм для кремниевых пластин. Роботизированные установки в чистых комнатах ISO 4–5.

Источник: Любомудров В.Н., Васильев Н.Н. «Абразивные инструменты и их изготовление».